刘金龙，工学博士，研究员。2007年毕业于哈尔滨工程大学，获材料科学与工程专业学士学位；2009年毕业于哈尔滨工业大学，获材料科学与工程硕士学位；2014年毕业于北京科技大学，获材料科学与工程博士学位。2016年北京科技大学冶金与生态工程学院博士后出站，后工作于北京科技大学新材料技术研究院至今。主要致力于功能碳材料基础与应用研究，研究方向包括碳材料电子器件研究，单晶金刚石的大尺寸制备和应用，高功率电子器件热管理材料及器件，功能薄膜、二维材料及等离子体表面改性，大面积高质量金刚石膜的制备与应用等。作为项目负责人先后承担国家自然科学基金、国防重大专项（子课题）、装发预研课题、北京市自然科学基金等国家与省部级课题10余项，作为主要参与人参研国家重点研发计划、国际政府间合作项目、军工配套项目、校企合作等10余项，发表学术论文60余篇，授权国家发明专利20余项，参加编著国家出版基金项目纳米科学与技术丛书-《金刚石膜制备与应用》一部，获得教育部技术发明一等奖1项，北京市科技进步三等奖1项。
碳材料电子器件的研究与应用 单晶金刚石的大尺寸制备和应用 高功率电子器件的热管理 功能薄膜、二维材料及等离子体表面改性 大面积高质量金刚石膜的制备与应用
发表论文
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参编专著
《金刚石膜制备与应用》科学出版社（978-7-03-041822-7） 2014.08
授权专利
1. 刘金龙，李成明，朱瑞华，陈良贤，魏俊俊，安康，吕反修，一种用于CVD金刚石材料力学性能的测试工装，专利号：ZL201821883867.6。
2. 刘金龙，郭艳召，李成明，郑宇亭，原晓芦，安康，魏俊俊，陈良贤，一种CVD金刚石辐照探测器的封装体，专利号：ZL201821727169.7。
3. 刘金龙，李成明，林亮珍，郑宇亭，赵云，闫雄伯，陈良贤，魏俊俊，黑立富，张建军。基于低成本单晶金刚石制备高性能金刚石半导体的方法。专利号：ZL201710556211.7。
4. 刘金龙，李成明，苗建印，李振宇，魏俊俊，陈良贤，黑立富，张建军，闫雄伯。一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法。专利号：ZL201510406256.7。
5. 刘金龙，李成明，陈良贤，郭建超，闫雄伯，魏俊俊，黑立富。一种 GaN/金刚石膜复合片的制备方法。专利号：ZL201410498719.2。
6. 刘金龙，李成明，陈良贤，化称意，郭建超，闫雄伯，黑立富，魏俊俊。一种金刚石膜表面选区扩散形成 P-N 结的制备方法。专利号：ZL201410738255.8。
7. 刘金龙，李成明，张营营，陈良贤, 黑立富，吕反修. 一种高导热集成电路用金刚石基片的制备方法。专利号：ZL201010578837.6。
