教授(研究员)

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姓  名:魏俊俊 所在系所:
功能材料研究所
职  称:
研究员
通信地址:
北京市海淀区学院路30号北京科技大学新材料技术研究院
邮  编:
100083
办公地点:
金物楼208
办公电话:
010-62332475
邮  箱:
weijj@ustb.edu.cn

【个人简介】

魏俊俊,研究员,博士生导师。现任新材料技术研究院功能材料研究所所长。2003年毕业于北京科技大学材料科学与工程学院,获学士学位;2009年获北京科技大学材料学博士学位;北京大学博士后,美国佐治亚理工学院访问学者。佛山市碳电子信息材料工程技术研究中心主任,兼任《真空与低温》《工程科学学报》等期刊青年编委。主要致力于CVD金刚石及其相关材料的基础理论及应用研究工作。作为项目负责人先后承担国家自然科学基金青年/面上项目、国防重大专项(子课题)、军科委基础加强,以及装发预研等多项国家级课题。以第一作者/通讯作者发表学术论文30余篇;获得授权专利10余项,参编中英专著各1部。获得教育部技术发明一等奖1项,北京市科技进步三等奖1项。主讲《新型功能材料与结构》、《薄膜理论与制备技术》和《先进材料导论》等本科生及研究生课程。

【研究方向】

1. 高品质CVD金刚石单晶/多晶膜制备及应用
2. 金刚石微纳加工技术和应用
3. 高功率电子器件热管理材料及器件
4. (纳米)金刚石表面功能化修饰及其应用
5. 碳基薄膜及功能器件的应用开发

【科研业绩】

代表性论文

1. Y.T. Zheng, Q.R. Zhang, G.Z. Qiao, J.J. Wei*, et al. Preparation strategy for low-stress and uniform SiC-on-diamond wafer,A silicon nitride dielectric layer[J],Ceramics International,2022, 48(24):36441-36449.

2. J.L. Tu, J.D. Shi, L.X. Chen, J.L. Liu, C.M. Li, J.J. Wei*. Surface termination of the diamond microchannel and single-phase heat transfer performance[J],International Journal of Heat and Mass Transfer,2022, 199: 123481

3. J.J. Wei, D.H. Jing, H. Li, et al. Efect of heat treatment on fuorescence characteristics of HPHT and detonation nanodiamonds[J]. Nanoscience, 2022, 12(11):3449-3457.

4. X.B. Yan, J.J. Wei*, K. An, et al. High temperature surface graphitization of CVD diamond films and analysis of the kinetics mechanism[J]. Diamond and Related Materials, 2021,120:108647.

5. Y.F. Liang, Y.T. Zheng*, J.J. Wei*, et al. Effect of grain boundary on polycrystalline diamond polishing by high-speed dynamic friction [J]. Diamond and Related Materials, 2021, 117: 108461.

6. X.B. Yan, J.J. Wei*, K. An, et al. Graphitization of CVD diamond grain boundaries during transient heat treatment [J]. Diamond and Related Materials, 2021, 116: 108433.

7. X. Jia, J.J. Wei*, Y.B. Huang, et al. Fabrication of low stress GaN-on-diamond structure via dual-sided diamond film deposition[J]. Journal of Materials Science, 2021, 56: 6903-6911.

8. Z.N Qi, Y.T.Zheng, J.J. Wei*, et al. Surface treatment of an applied novel all-diamond microchannel heat sink for heat transfer performance enhancement[J], Applied thermal engineering, 2020, 177: 115489.

9. Z.N Qi, Y.T.Zheng, X.H. Zhu, J.J. Wei*, et al. An ultra-thick all-diamond microchannel heat sink for single-phase heat transmission efficiency enhancement[J], Vacuum, 2020, 177: 109377.

10. X. Jia, J.J. Wei*, Y.B. Huang, et al. Enhancement of diamond seeding on aluminum nitride dielectric by electrostatic adsorption for GaN-on-diamond preparation[J]. Journal of Materials Research, 2020, 35(5): 1-8.

11. X. Jia, J.J. Wei*, Y.C. Kong, et al, The influence of dielectric layer on the thermal boundary resistance of GaN-on-diamond substrate[J], Surface and Interface Analysis, 2019, 51(7):783-790.

12. J.J. Wei, X.Y. Zhu, L.X. Chen, et al, High quality anti-sticking coating based on multilayer structure[J], Surface and Coatings Technology, 2019, 362:72-77.

13. X.B. Yan, J.J. Wei*, K. An, et al, Quantitative study on graphitization and optical absorption of CVD diamond films after rapid heating treatment[J], Diamond and Related Materials, 2018, 87: 267-273.

14. X.B. Yan, J.J. Wei*, J.C. Guo, et al, Mechanism of graphitization and optical degradation of CVD diamond films by rapid heating treatment[J], Diamond and Related Materials, 2017, 73: 39-46.


参编专著

《金刚石膜制备与应用》科学出版社(978-7-03-041822-7) 2014.08


已授权专利

1. 魏俊俊,王越,乔冠中等,一种具有金刚石钝化层的TaN薄膜电阻器的制备方法,发明专利,ZL202211163967.2

2. 魏俊俊,涂军磊,史佳东等,一种歧管式全金刚石微通道散热器的制备方法,发明专利,ZL202110419168.6

3.魏俊俊,史佳东,涂军磊等,一种快响应超黑材料及其制备方法,发明专利,ZL202110159705.8

4.魏俊俊,黄亚博,陈良贤等,一种带光学增透膜的金刚石制备方法,发明专利,ZL202011158364.4

5. 魏俊俊,荆豆红,梁毅凡等,一种基于催化反应减小纳米金刚石粒径的方法,发明专利,ZL202010519160.2

6. 魏俊俊,李成明,陈良贤等,一种金刚石基薄膜电阻元件的制造方法,发明专利,ZL201910459340.3

7. 魏俊俊,齐志娜,李成明等,一种超高热流密度散热用金刚石微通道热沉的制备方法,发明专利,ZL201810487436.6

8. 魏俊俊,吴晶恩,李成明等,一种高导热片-金属热沉界面热阻测量装置及方法,发明专利,ZL201810009990.3

9. 魏俊俊,贾鑫,李成明等,一种采用双金刚石层实现GaN原始衬底转移的方法及应用,发明专利,ZL201811340254.2

10. 魏俊俊,李成明,刘金龙等,一种表面P型导电金刚石热沉材料的制备方法,发明专利,ZL201510623007.3;

11. 魏俊俊,李成明,黑立富等,一种研磨抛光机的磨料自动添加装置,发明专利,ZL201310150661.8;